存儲市場近日出現(xiàn)分化行情。NAND Flash（閃存）和DRAM（動態(tài)隨機存取內(nèi)存）作為最主要的存儲芯片，多類消費電子需求疲弱背景下，多家NAND Flash廠商仍在減產(chǎn)，另一邊，因AI服務(wù)器需求增加，與AI場景高算力需求匹配的HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片需求上升，助力DRAM整體需求復蘇。

8月11日，第一財經(jīng)記者從深圳華強北多家電腦裝機商家了解到，NAND Flash主要產(chǎn)品之一固態(tài)硬盤價格持續(xù)下跌，目前已是年內(nèi)低點。

反映至NAND Flash廠商業(yè)績，鎧俠8月9日發(fā)布的2023年Q1財報顯示，截至今年6月30日的最新季度里，其收入2511億日元，同比減少31.6%，營業(yè)利潤虧損1308億日元，平均售價環(huán)比下降。

(資料圖)

需求不振下，日媒近日報道稱鎧俠在日本巖手縣北上市新建的廠房將推遲投入使用。今年7月末，三星和SK海力士則在財報會上釋放NAND產(chǎn)量繼續(xù)下調(diào)的信號。

另一邊，DRAM走出不同行情，AI浪潮催化下，DRAM行情好轉(zhuǎn)的跡象更明顯，隨著HBM存儲成為行業(yè)熱點，三星、SK海力士均傳出擴產(chǎn)HBM產(chǎn)能的消息。

“DRAM行情比NAND Flash更早復蘇，原因包括DRAM前期減產(chǎn)更猛烈、DRAM在智能手機等終端應(yīng)用中的需求相對剛性，AI場景對HBM的需求也有所增加。”Counterpoint研究副總監(jiān)BradyWang告訴記者。

目前，HBM市場基本被SK海力士、美光和三星三家DRAM大廠瓜分，但國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司近期也受到資本關(guān)注。從市場谷底望向后市，這股AI風潮下，國內(nèi)存儲相關(guān)廠商能受益幾何、行情復蘇何時到來？

閃存廠商減產(chǎn)

存儲器在消費電子市場的價格仍在低點。華強北多位電腦裝機商家稱，近期CPU、主板等電腦部件價格波動上漲，但固態(tài)硬盤價格較穩(wěn)，目前已是年內(nèi)低點。普通2.5寸1T固態(tài)硬盤售價低至300元左右，品質(zhì)更高、讀寫速度更快的型號價格400~500元，普通2T固態(tài)硬盤售價在500元左右。

有商家稱，去年還售400、500百元的固態(tài)硬盤，如今跌至200多元。更久以前，固態(tài)硬盤價格約每1G銷售0.8元，現(xiàn)已大打折扣。

固態(tài)硬盤是以NAND Flash為介質(zhì)的一類主要存儲產(chǎn)品，應(yīng)用于PC、筆記本電腦、數(shù)據(jù)中心等場景，此外，U盤、手機等移動設(shè)備也多采用NAND Flash介質(zhì)存儲。消費電子市場和數(shù)據(jù)中心需求偏弱背景下，多類NandFlash產(chǎn)品降價，廠商近期仍在控制產(chǎn)能。

三星相關(guān)負責人已在7月底的電話財報會上稱，三星將減產(chǎn)部分DRAM和NAND產(chǎn)品，尤其是NAND產(chǎn)品。SK海力士稱，考慮到較高的行業(yè)庫存水平和NAND的盈利能力低于DRAM，將進一步削減NAND產(chǎn)量。鎧俠在財報中稱，因閃存制造商生產(chǎn)調(diào)整，供需平衡狀況逐步改善，客戶庫存改善及PC、智能手機內(nèi)存增長有望修復閃存需求。但鎧俠同時承認，因庫存調(diào)整和企業(yè)IT支出疲軟，2023年度數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級固態(tài)硬盤需求將放緩，市場復蘇延遲下，鎧俠將根據(jù)市場情況調(diào)整生產(chǎn)。

據(jù)慢慢買比價平臺，DRAM主要產(chǎn)品之一電腦內(nèi)存條在主流電商平臺上也處于價格低位。京東32GB筆記本內(nèi)存熱賣榜中，一款金士頓內(nèi)存自今年下半年起便售540元左右，相比年初降價約50元，一款三星內(nèi)存年內(nèi)波動降價，目前售574元。

但相比之下，DRAM需求及價格回暖速度仍快于NAND Flash。DRAM廠商南亞科技高管在7月的財報會議上稱，DRAM需求在2023年第二季度觸底，預計2023年下半年將出現(xiàn)輕微或溫和的需求反彈。集邦咨詢此前則預計，第三季度NAND Flash均價下跌約3~8%，DRAM均價跌幅將收斂至0~5%。此外，HBM近期需求火爆，逐漸催化DRAM行情回暖。

HBM成市場新寵

HBM是一種基于3D堆疊工藝的高效能DRAM，通過硅通孔（TSV）技術(shù)堆疊后可與GPU一起封裝，擁有更高帶寬和較低耗能。處理器高算力情況下，采用HBM可以避免因存儲器數(shù)據(jù)訪問速度慢于處理器數(shù)據(jù)處理速度導致的“內(nèi)存墻”。

2023年以來，科技大廠接連布局AI大模型，掀起“百模大戰(zhàn)”。AI訓練多使用先進GPU（圖形處理器），HBM則是此類GPU存儲單元的理想解決方案。集邦咨詢分析稱，NVIDIA、AMD、Intel等高端AI芯片大多選擇搭載HBM。2023年至2024年AI建設(shè)爆發(fā)期，大量需求集中在AI訓練芯片上，推升HBM使用量。2023年，HBM即便在原廠擴大產(chǎn)能的情況下，仍無法完全滿足客戶需求。從各原廠規(guī)劃看，預計2024年HBM供給位元量將年增長105%。

HBM主要玩家是SK海力士、三星和美光。SK海力士HBM3產(chǎn)品目前領(lǐng)先，但三星和美光已在發(fā)力，市場競爭趨于激烈。

今年7月底，美光宣布推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存。SK海力士和三星則釋放擴產(chǎn)HBM產(chǎn)能的消息。SK海力士高管在7月的財報電話會中稱，為了在有限的資本支出預算內(nèi)確保高密度DDR5/HBM的生產(chǎn)能力，將努力提高生產(chǎn)率并減少在其他方面的投資。

據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2022年SK海力士、三星和美光HBM市占率為50%、40%、10%，隨著SK海力士和三星擴產(chǎn)及客戶加單，預計2024年SK海力士、三星市占率差距縮小，兩家共占約95%份額。

隨著HBM成為市場焦點，部分國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈公司也受到市場關(guān)注。民生證券研報稱，HBM拉動上游設(shè)備及材料用量需求提升，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)有望受益，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈也在迅速跟進。不過，包括雅克科技、聯(lián)瑞新材、香農(nóng)芯創(chuàng)在內(nèi)的多家存儲芯片相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈公司在7月上旬股價拉升后，近日均有所回調(diào)。

BradyWang告訴記者，鑒于目前HBM廠商限于SK海力士、三星和美光，國內(nèi)存儲廠商短期內(nèi)參與HBM產(chǎn)業(yè)鏈的機會比較有限，此外，因目前HBM需求較急、利潤較高，廠商更需要穩(wěn)定的供應(yīng)商而不會優(yōu)先考慮降成本，短期國內(nèi)廠商新進入產(chǎn)業(yè)鏈的機會也有限，但未來存在機會。而放在整個AI浪潮中，材料、設(shè)備等多類國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈廠商均有機會受益于AI服務(wù)器需求增加。

例如，AI服務(wù)器需求增長未來有可能整體拉動存儲器需求。美光此前曾表示，AI服務(wù)器對DRAM和NAND Flash的容量需求是傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍和3倍。

BradyWang還表示，雖然AI服務(wù)器市場增長快，但AI服務(wù)器與傳統(tǒng)服務(wù)器或PC的量級不同，HBM在DRAM市場中的體量有限。隨著廠商建廠擴產(chǎn)，相關(guān)HBM產(chǎn)能放量應(yīng)等到2025年。未來DRAM市場恢復增長還有賴于PC、手機等產(chǎn)品需求恢復。

標簽：